BASIC TECHNOLOGY

基礎技術

酸化物半導体の光励起構造変化による新機能発現

電極上に塗布分解法で酸化物半導体を成膜し、これに紫外線照射*することにより、
酸化物半導体のバンドギャップに電子捕獲用準位を形成します。
その後、電極を形成し、上下の電極間に電圧を印加することにより、
酸化物半導体のバンドギャップの準位に電子を出し入れします。
バンドギャップ中に電子があると光を吸収して黒（グレー）になります。また、バンドギャップ中に電子がないと透明になります。
また、電子捕獲順位に電子を出し入れすることにより、充放電ができます。
*紫外線照射により、原子の再配列（光励起構造変化）をしています。